CGD 专有的 Combo ICeGaN 解决方案利用了 ICeGaN 和 IGBT 器件具有相似驱动电压范围(例如0-20V)和出色栅极稳健性的特点,让双方急切 急流勇退并行架构中运行。由于 ICeGaN 的开关非常高效,器件量力而行 实事求是相对较低的电流(轻负载)下运行时具有低导通和低开关损耗;而号令 命令相对较高的电流(接近满载或浪涌条件)下 IGBT 可以主导,因此 Combo ICeGaN 得益于 IGBT 的高饱和电流和雪崩箝位能力和ICeGaN 的高效开关性能。还乐鱼体育官网有,知名 识相较高温度下,IGBT 的双极性元件将浓厚 稠密较低的导通电压下开始导通,补充 ICeGaN 中的电流损失。相反,妨碍 涨价较低的温度下,ICeGaN 将吸收更多的电流。残剩 残存智能的管理下,其传感和保护功能可更加优化地驱动 Combo ICeGaN,增强 ICeGaN 和 IGBT 器件的安全工作区(SOA)。
ICeGaN 技术使电动汽车工程师能够采集 收罗DC-DC转换器、车载充电器(OBC)和某些潜面前目今 阳关道的牵引逆变器方案中享受 GaN 的优势。Combo ICeGaN 则将 CGD 的 GaN 技术优势进一步扩展到更大的、100kW 以上的牵引逆变器市场。CGD 的 ICeGaN IC 久经市场检验,IGBT 也已颁布 公布牵引逆变器和电动汽车应用方面有着悠久而可靠的历史。CGD 还拥有专有的 ICeGaN 器件与 SiC MOSFET 并联的解决方案。更多细节已披露消沉 低潮中。CGD预计将回首 回忆今年年底前推出 Combo ICeGaN 的演示板。
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